纳米微电压中型桥单元NSD2622N：E

本文引用：Nanxin Micro推出了高压半桥控制器NSD2622N，该桥梁专门设计用于改进。芯片集成了正电压调节电路，承认起动用品，具有强大的DV/DT免疫力和强大的管理功能，极大地简化了GAN控制器电路的设计，提高了系统的可靠性并降低了系统成本。近年来，应用历史记录已被广泛用于高能领域，作为高压和人工智能数据中心（AI），微投资者，车辆装载机（OBC）的食品供应。但是，在现实世界应用中，GAN设备仍然面临许多挑战。以氮化炮（Gin-Mode）设备为例，在高功率和高功率方案中，尤其是在Duro的开关方案中，由于在加速切换过程中高荧光和隔膜，因此很容易欺骗。同时，自适应控制器电路的设计是LSO相对复杂，无疑增加了GAN设备的应用阈值。为了加速GAN应用的传播，国家和国际帮派的主要制造商最近推出了GAN Energy Chip，这些芯片整合了集成控制器的IRIC，尤其是MOSFET等类型类型的能量芯片。包装形式与SI MOSFET兼容，从而在某种程度上降低了GAN控制器电路的设计难度。但是，集成驾驶芯片仍然存在许多限制。另一方面，由于差异化产品的设计满足某些客户的需求是困难的。另一方面，由于无法将其应用于应用程序方案，例如多个管和双向开关的CPARALALel Onexions，因此许多应用程序方案仍然需要离散的设备和相应的驱动电路。从这个意义上讲，Nanxinwei为电子电机开发了专用的控制器芯片NSD2622N循环为高压和高功率方案提供高性能驾驶解决方案，释放和具有竞争力的成本。 NSD2622N产品的功能是专为电子GAN设计的高压电缆。这是一个Fbridge控制器芯片。芯片可以集成内部电压调节电路，以产生从5V到6.5V的正稳定正电压，从而可以可靠地操作GAN设备。它还集成了内部的负载泵电路，以生成可靠的GAN关闭的固定负电压-2.5V。整数Chipra内部正正和负供应电压调节器，允许使用启动进料来接收高侧的输出。 NSD2622N使用纳米微型和可靠的电容分离技术。高侧单元可以接收从-700V到 +700V的电压，并支持200V/NS最低SW SW电压率。同时，高和低侧输出p由于低传输延迟和低传输延迟的巧合特性，直接满足GAN高频开关的需求。此外，NSD2622N的高侧输出和低侧输出可以提供最大单位电流2A/-4A。这足以解决任何类型的G，可以在应用程序的驾驶速度要求和并行使用方案中使用。 NSD2622N还集成了5V固定输出输出。 ESTO允许将功率电路作为数字绝缘子集成，以用于需要绝缘的应用程序场景。 NSD2622N详细参数：●支持SW的电压范围：-700V至700V●SW DV/DT抑制功能超过200V/NS●广泛的电源支持5V源5V源5V至15V●5V至15V至6.5V可调节的典型型号的典型型号的典型型号的典型型号的典型型号的典型型号的典型型号的典型值● （1NF负载）●典型值6.5NS降落时间（1NF负载）数字绝缘子工作环境的输出：-40℃至125 nsd2622n功能框图该优惠是规范评论中最大的患者，并提供了用于进行SI -MOSFET传导的诅咒。与MOSFET传输点相比，它提供了更稳定的工作电压。正电压偏置和负电压偏置。这意味着E单元的驱动驱动电压通常在5V和6V之间，这是由于阈值相对较低，仅约1V，甚至低于高温。在许多情况下，应响起负压以避免误解。通常，有两种驾驶方案为E.1。1的ED GAN提供适当的正和负电压偏置。分化差异电压和直接驱动：1。1。此驾驶方案可以使用常规的SI MOSFET处理尖端。如图所示，当它打开单元时，CC和RA与RB串联连接。 di之后在驱动电源电压（例如10V）上，它为GAN门提供了6 V驱动电压，DZ1充当正电压夹。当设备关闭时，CC电容器放电向GAN门提供负电压，而DZ2可容纳负电压。上面提到的电阻电压电压差异电路几乎没有工作芯片要求，但是众多的驱动环组件允许轻松引入其他寄生虫电感器，这会影响gan的开关产量到高频。此外，电阻冷凝器的除法电压分隔器的负电压来自CC冷凝器的排放，因此负电压不可靠。如以下中型桥示范板的实际波形所示，在开始阶段（图中的T1），目前的电压暗示是由于无法建立负电压，因为由于该事实无法建立负电压CC电容器尚未加载。在控制器芯片发出波（图中的T2）之后的负电压下，负电压振荡将随冷凝器排放而波动。在长期关闭（图中的T3）期间，冷凝器的负电压无法保持并逐渐排出为零伏特。因此，电阻电容器的电压划分电路通常用于需要相对较低的可靠性要求的中小型任务。费率能源供应应用不适用于高能食品供应系统。 E-MDOAGAN uses the waveform of the condensad voltage drive circuitor resistivo (CH2 es la fuente de alimentación del controlador y CH3 es el voltaje de fuente de la puerta GaN) 2. Esquema de accionamiento directo En un esquema de unidad directa, el chip del controlador primero debe seleccionarse en un punto subterráneo Apropiado，Como NSI6602VD。 Umbral de 4v uvlolos valoresestánESPEcialmentediseñadospara impuls gans del modo E. el gan en modo e puede seruccido directamente encombinaciónconcourtiondegrogulaciónde voltaje de suministro de suministro positivo positivo y negativo y negativo externos。 A continuación se muestra un circuito de aplicación típico: Circuito de regulación de voltaje de suministro positivo y negativo NSI6602VD Circuito de regulación de voltaje de suministro negativo Este circuito de accionamiento directo puede proporcionar un voltaje Negativo de apagado有限的Al gan en una variedad de condiciones de funcionamiento cuando la fuente dealimentaciónauxiliarfunciona recressamente。因此，它被广泛用于多种情况下的高压和高功率。由Nanxin Micro开发的新一代NSD2622N控制器将正向和负电压直接整合到芯片中。如以下中桥示范板的实际测量波形所示，负幅度IVE电压和NSD2622N维护时间不受工作条件的影响。在开始阶段（图中的T1）建立传输波之前的负电压。负压振幅在GAN -OFF期间（图中的T2）是稳定的。如果控制器芯片很长一段时间内不会发出波（图中的T3），则负压保持稳定且可靠。电子模式GAN模式通过使用NSD2622N控制器的波形来简化电路的设计，并降低了系统成本（CH2是侧面的VDS GAN低部分，CH3是低侧VGS GAN）。 NSD2622N不仅可以通过直接单元以稳定且可靠的方式促进GAN，而且最重要的是，NSD2622N大大通过内部和负面的正面和负电压调节饲料来大大减少外围电路的组件数量，并采用Boottrap Feed供应方法。假设两个散布的TTP PFC和Full Bridge LLC，以3kwpsu为例，我们使用GAN设备比较了两个直接驱动电路解决方案的复杂性。如果使用NSI6602VD单位方案，则意味着促进相应的隔离电路和负电源电路和负电源传输电路。孤立的饲料设计，因此，孤立的辅助饲料相对复杂。由于驾驶员团伙有高功率要求，并且PFC和LLC的主要电路通常在单独的桌子中找到，因此我们有两个阶段的辅助能量架构。您经常需要雇用。第一阶段使用具有广泛输入电压（例如传单）的设备来生成电压调节的轨道。在第二阶段，使用完整的开路桥拓扑用于提供隔离的电源，并且可以调整电压以产生需要NSI6602VD的正面和负饲料供应。下面是典型的拱门电源：NSI6602VD控制器解决方案的ITECTERTY在使用NSD2622N控制器解决方案时典型的电源解决方案，可以通过自举电源直接简化辅助馈电源的设计。然后，我知道显示了一个典型的进料源体系结构：NSD2622N典型的控制器控制器解决方案的比较GAN和POWER CIDECT BOM NSI6602VD的两个直接驱动解决方案。即使使用孤立的电源方法，与NSI6602VD外围电路相比，NSD2622N也被简化，因为其内部强大的正和负电压供应源。与NSI6602VD外围电路相比，与NSI66602VD外围电路相比，NSD2622N被简化。直接驱动解决方案的传输和电源电路与多种类型的GAN兼容，并且单位电压iStá受到了灵活的调节。由纳米微型开发的Gin-Mode Controller芯片E-Mode NSD2622N，不仅具有很强的性能，BUT还可以适应不同品牌的GAN设备，不同类型（电压和电流等）以及不同水平的防水电压。例如，可以通过反馈电阻将NSD2622N的输出电压从5V设置为6.5V。通过这种方式，通过与不同的品牌匹配，最适合的驾驶电压仅通过调整反馈电阻来确定帮派特征，从而允许不同的气体标记在最佳效率点上起作用。另外，NSD2622N具有200V/NS SW节点的DV/DT的最小抑制功能，这增加了GAN开关速度的上限。更紧凑的QFNER包装采用单独的输出引脚，进一步减少驱动环和降低寄生电感。它提供过多的温度保护，以使GAN应用更安全。 Nanxin Micro还可以提供3毫米*3 mm QFN包装的单个NSD2012N通道的GAN控制器，并添加负PRESSURE调整以满足最具个性化的申请需求。